[发明专利]具有转换速率偏移的输出缓冲器和包括其的源极驱动器无效
| 申请号： | 200810088119.3 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101237233A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金炯泰;康彰植;朴天郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03F3/45;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了具有转换速率偏移的输出缓冲器和包括其的源极驱动器。该输出缓冲器具有：差分输入电路，将通过正输入端和负输入端输入的差分电压信号转换成差分电流信号，并输出该差分电流信号。该差分输入电路可以包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管。该输出缓冲器还包括转换速率匹配电路，其补偿形成在多个PMOS晶体管周围的第一寄生电容器的分量和形成在多个NMOS晶体管周围的第二寄生电容器的分量之间的差值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 转换 速率 偏移 输出 缓冲器 包括 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种输出缓冲器，包括：差分输入电路，配置为将通过正输入端和负输入端输入的差分电压信号转换成差分电流信号，并配置为输出该差分电流信号，该差分输入电路包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管；以及转换速率匹配电路，配置为补偿形成在多个PMOS晶体管周围的第一寄生电容器的分量和形成在多个NMOS晶体管周围的第二寄生电容器的分量之间的差值。
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