[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 200810088467.0 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101552229A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 陈奕文;程立伟;许哲华;尤志豪;周正贤;赖建铭;蒋天福;林建廷;马光华 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L21/84;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种具有金属栅极晶体管与多晶硅电阻结构的半导体元件及其制作方法。根据该方法，首先提供一基底，且该基底上定义有一晶体管区以及一电阻区。然后形成一多晶硅层于该基底上并覆盖该晶体管区及该电阻区。接着去除电阻区的部分多晶硅层，并图案化该多晶硅层，使该电阻区的该多晶硅层表面与该晶体管区的该多晶硅层表面之间具有一高低差。随后形成至少一个多晶硅栅极在晶体管区以及一多晶硅电阻在电阻区，并将多晶硅栅极转换成金属栅极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作具有金属栅极晶体管与多晶硅电阻结构的半导体元件的方法，包含有下列步骤：提供一基底，该基底上定义有一晶体管区以及一电阻区；形成一多晶硅层于该基底上并覆盖该晶体管区及该电阻区；去除该电阻区的部分该多晶硅层；图案化该多晶硅层，并使该电阻区的该多晶硅层表面与该晶体管区的该多晶硅层表面之间具有一高低差形成至少一个多晶硅栅极于该晶体管区以及一多晶硅电阻于该电阻区；以及将该多晶硅栅极转换成金属栅极晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
