[发明专利]导电膜及其制造方法、电子装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810089140.5 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101552052A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;榎修;李勇明;张婧;高濂;孙静;刘阳桥;王家平 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/16;H01B1/24;C08L81/00;C08K3/04;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种导电膜制造方法，其特征在于，在将全氟磺酸类聚合物作为分散剂溶解于溶剂中的溶液中分散碳纳米管，并使用分散有所述碳纳米管的所述溶液，通过过滤法来制造由所述碳纳米管形成的导电膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810089140.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电线保护部件
- 下一篇：提供驾驶信息的方法和装置
