[发明专利]半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810089504.X | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101320684A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 远藤昭彦;森本信之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造最终产品贴合基板的方法，该方法是在使用研磨中止层的贴合方法中，抑制作为研磨中止层的SiO2层和硅基板的界面粗糙度，以使表面的粗糙度小。一种贴合的晶片的制造方法，该方法包括：在基板电阻为1～100mΩcm的活性层用晶片中注入氧离子，在前述活性层用晶片中形成氧离子注入层的工序；使前述活性层用晶片和支撑用晶片通过或不通过绝缘层贴合，形成贴合晶片的工序；将前述贴合的晶片热处理，强化贴合，而且使前述氧离子注入层作为含有SiO2层的工序；将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面侧研削、研磨和/或蚀刻，使前述中止层露出表面的工序；除去前述SiO2层的工序；以及将贴合晶片在还原气氛下热处理，使活性层用晶片中含有的导电性成分扩散的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贴合晶片的制造方法，该方法包括：在基板电阻为1～100mΩcm的活性层用晶片中注入氧离子，在前述活性层用晶片中形成氧离子注入层的工序；将前述活性层用晶片和支撑用晶片，通过或者不通过绝缘层贴合，形成贴合晶片的工序；将前述贴合晶片热处理，强化贴合，而且使前述氧离子注入层作为含有SiO2 相粒子层或连续的SiO2层的工序；将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面一侧研削、研磨和/或蚀刻，使前述中止层露出表面的工序；除去前述中止层的工序；和将除去中止层的贴合晶片在还原气氛下热处理，使活性层用晶片中含有的导电性成分扩散的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
