[发明专利]一种形成半导体器件微图案的方法无效
| 申请号： | 200810089930.3 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101471231A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郑宇荣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件微图案的方法，包括：在半导体衬底上形成第一蚀刻掩模图案；在包括第一蚀刻掩模图案的表面的半导体衬底上形成辅助膜；在第一蚀刻掩模图案的侧壁上形成的辅助膜之间形成第二蚀刻掩模图案；使用相同的材料形成第一蚀刻掩模图案和第二蚀刻掩模图案；除去在第一和第二蚀刻掩模图案之间的辅助膜。因此，可形成比曝光设备的分辨率极限所允许的更微小的图案，同时防止未对准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 半导体器件 图案 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一蚀刻掩模图案；在所述第一蚀刻掩模图案上形成辅助膜，其中所述辅助膜形成在所述第一蚀刻掩模图案的侧壁上，使得在相邻第一蚀刻掩模图案之间限定间隔；在所述相邻第一蚀刻掩模图案之间限定的所述间隔中形成第二蚀刻掩模图案，其中所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模图案包含基本相同的材料；和除去在所述第一蚀刻掩模图案和所述第二蚀刻掩模图案之间形成的所述辅助膜，其中目标图案对应于所述半导体衬底上除去所述辅助膜的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810089930.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
