[发明专利]氮化物半导体发光器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810090009.0 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101276991A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪;小河淳;高冈宏树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/323;H01S5/343;C23C16/18;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈桉;封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述氮化物半导体发光器件至少具有在基底上生长的n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层，所述方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810090009.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防止点击付费欺诈
- 下一篇：分析多层材料中元素成分和厚度
