[发明专利]晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备

摘要

本发明提供一种晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备，该设备在旋转晶片的同时把蚀刻剂供给晶片的上表面，从而蚀刻晶片的上表面。此外，晶片升降装置上下移动晶片；下表面吹气机构以不与晶片一起旋转的方式固定和设置，并通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉。此外，间隙调整装置根据来自间隙检测装置的检测输出来控制晶片升降装置从而调整间隙，间隙检测装置用于检测晶片和下表面吹气机构之间的间隙。根据本发明的设备能均匀地蚀刻边缘部分而不损毁晶片的边缘部分的倒角形状，并防止在晶片的边缘表面上产生闪光物。

主权项

1.一种晶片的单片式蚀刻方法，所述方法根据晶片的表面形状控制蚀刻剂对晶片的应用以使晶片的上表面平滑，其特征在于，在晶片和下表面吹气机构之间的间隙被调整成落入到0.1至1mm的范围之内的状态下，将晶片的上表面平滑化，所述下表面吹气机构通过气体的喷射朝晶片的径向外侧把在晶片的边缘表面上向下流的蚀刻剂吹掉。