[发明专利]薄膜器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810090201.X | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101290916A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 增田隆英;佐野正志;有友宏树 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;G11B5/37;G11B5/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜器件，其凸块具有改善的表面特性。薄膜器件的薄膜元件包括电磁转换元件、无源元件和有源元件中的至少一种。包含Cu作为主要成分的引线导体膜连接到薄膜元件。引线导体设置有凸块。该凸块包括第一导体膜和第二导体膜。所述第一导体膜附着到引线导体膜上，并且是Ta膜或由具有相当精细的晶体结构的材料制成。所述第二导体膜是直接或间接形成在第一导体膜上的镀膜，并包含Au作为主要成分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜器件，其包括薄膜元件、引线导体膜和凸块，其中，所述薄膜元件包括电磁转换元件、无源元件和有源元件中的至少一种，所述引线导体膜包含Cu作为主要成分并且连接到所述薄膜元件，所述凸块是待连接外部导体的部分并且至少包括第一导体膜和第二导体膜，所述第一导体膜附着到所述引线导体膜上，并且所述第一导体膜为Ta膜或者由具有相当精细的晶体结构的材料制成，并且所述第二导体膜是直接或间接形成在所述第一导体膜上的镀膜，并且所述第二导体膜包含Au作为主要成分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810090201.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于预防出生缺陷并改善记忆的药物组合物
- 下一篇：用于蒸馏袋的层压粘合剂
