[发明专利]光电元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810091151.7 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101556901A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;施颖苍 | 申请（专利权）人： | 陈敏璋 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L51/00;H01L33/00;H01L31/00;H01L23/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电元件及其制造方法。根据本发明的制造方法，首先，制备衬底。接着，于该衬底上形成多层结构。然后，通过原子层沉积工艺及/或等离子体增强原子层沉积工艺(或等离子体辅助原子层沉积工艺)，形成钝化层，该钝化层覆盖该多层结构。本发明可以提供良好的表面钝化效果，进而制造出较佳的光电元件。此外，由于工艺温度低，可以避免破坏光电元件已经制造好的结构，并且可以减少高温造成的设备故障及/或损坏，进而提高工艺可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造光电元件的方法，该方法包含下列步骤：制备衬底；于该衬底上形成多层结构；以及通过原子层沉积工艺及/或等离子体增强原子层沉积工艺，形成钝化层，该钝化层覆盖该多层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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