[发明专利]半导体装置的制造方法以及显示装置

摘要

本发明提供了一种半导体装置的制造方法以及显示装置，该半导体装置的制造方法，用于进行采用多个照射光学系统用能量束照射半导体膜的退火工艺，在该半导体膜上包括薄膜晶体管形成区域的元件形成区域排列成二维图案，其中，在该退火工艺中，用能量束照射的区域分成单束照射区域和边界区域，单束照射区域由多个照射光学系统中的每一个用能量束单独照射，而边界区域位于彼此相邻的单束照射区域之间，并且由进行单束照射区域的束照射的两个照射光学系统用能量束照射。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，用于进行采用多个照射光学系统用能量束照射半导体膜的退火工艺，在所述半导体膜上包括薄膜晶体管形成区域的元件形成区域排列成二维图案，其中在所述退火工艺中，用所述能量束照射的区域分成单束照射区域和边界区域，所述单束照射区域由所述多个照射光学系统中的每一个用能量束单独照射，而所述边界区域位于彼此相邻的单束照射区域之间，并且由进行所述单束照射区域的束照射的两个照射光学系统用能量束照射，所述边界区域分成第一照射部分和第二照射部分，所述第一照射部分作为被所述两个照射光学系统之一束照射的部分，和所述第二照射部分作为被所述两个照射光学系统中另一个束照射的部分，以及所述第一照射部分、所述第二照射部分和所述薄膜晶体管形成区域排列来使得，被所述两个照射光学系统之一束照射的薄膜晶体管形成区域和被所述两个照射光学系统中另一个束照射的薄膜晶体管形成区域具有部分，在所述部分中被所述两个照射光学系统之一束照射的薄膜晶体管形成区域和被所述两个照射光学系统中另一个束照射的薄膜晶体管形成区域在所述边界区域于二维方向的每个上彼此混合。