[发明专利]电路结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种电路结构及其制造方法，该电路结构包括具有PFET和NFET器件的FET器件结构，PFET和NFET器件具有高k电介质栅极绝缘体和含金属的栅极。NFET和PFET器件两者中的栅极的金属层由单个公共金属层制造。因为两类器件的栅极使用单个金属层，所以NFET和PFET的端子电极能直接物理接触地彼此对接。该FET器件结构还包括受应力的器件沟道、以及具有n⁺Si和p⁺Si值的有效功函数的栅极。

主权项

1.一种电路结构，包括：至少一个NFET和至少一个PFET；其中所述NFET包括：位于单晶硅基材料中的n沟道；包括栅极金属的第一层和帽层的第一栅堆叠；包括第一高k电介质的第一栅极绝缘体，其中所述第一高k电介质直接接触所述帽层；NFET电极，包括第一电极，其邻接所述n沟道，且能与所述n沟道电连续；其中所述PFET包括：位于所述单晶硅基材料中的p沟道；包括所述栅极金属的第二层的第二栅堆叠；包括第二高k电介质的第二栅极绝缘体，其中所述第二高k电介质与所述栅极金属的所述第二层直接接触；PFET电极，包括第二电极，其邻接所述p沟道，且能与所述p沟道电连续，且其中所述第一电极和所述第二电极直接物理接触地彼此对接。