[发明专利]存储单元的编程方法

摘要

一种存储单元的编程方法，此编程方法为，进行一第一编程，对栅极施加第一栅极电压，漏极施加第一漏极电压，源极施加第一源极电压，以及对衬底施加第一衬底电压，以使电子进入靠近漏极侧的氮化物层中。然后，进行一第二编程，对栅极施加第二栅极电压，对漏极施加第二漏极电压，对源极施加第二源极电压以及对衬底施加第二衬底电压，以使电子进入靠近源极侧的氮化物层中。其中，第二栅极电压小于第一栅极电压。

主权项

1.一种存储单元的编程方法，该存储单元包括一衬底、位于该衬底内的一漏极与一源极，以及位于该漏极与该源极之间的该衬底上的一栅极，其中该栅极由该衬底往上依序为一第一氧化物层、一氮化物层、一第二氧化物层以及一多晶硅层，其特征在于，该编程方法包括：进行一第一编程，对该栅极施加一第一栅极电压，该漏极施加一第一漏极电压，该源极施加一第一源极电压，以及对该衬底施加一第一衬底电压，以使电子由沟道热电子注入效应进入靠近该漏极侧的该氮化物层中；以及进行一第二编程，对该栅极施加一第二栅极电压，对该漏极施加一第二漏极电压，对该源极施加一第二源极电压以及对该衬底施加一第二衬底电压，以使电子由沟道热电子注入效应进入靠近该源极侧的该氮化物层中，其中该第二栅极电压小于该第一栅极电压。