[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置无效
| 申请号： | 200810092037.6 | 申请日： | 2008-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101257032A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 矢野伸一;井上和式;石贺展昭 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/43;H01L21/84;H01L21/28;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供不增加光刻步骤数就能够容易地控制TFT的沟道长度的薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列衬底具有：形成在绝缘衬底(1)上的栅电极(2)；形成在上述栅极(2)上的栅极绝缘膜(6)；包括透明导电膜(7)和形成在该透明导电膜(7)上的第2金属膜(8)并且形成在上述栅极绝缘膜(6)上的源极(11)以及漏极(9)；半导体膜(21)，形成在上述源极(11)以及上述漏极(9)上，与源极(11)以及漏极(9)电连接；从上述漏极(9)延伸形成的透射像素电极(10a)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 衬底 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列衬底，具有：形成在衬底上的栅电极；形成在上述栅电极上的栅极绝缘膜；源电极以及漏电极，包括透明导电膜以及形成在上述透明导电膜上的金属膜，并形成在上述栅极绝缘膜上；半导体膜，形成在上述源电极以及上述漏电极上，并且与上述源电极以及上述漏电极电连接；从上述漏电极延伸形成的像素电极。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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