[发明专利]芯片的导电结构无效
| 申请号： | 200810092277.6 | 申请日： | 2008-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101562161A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 黄祥铭;刘安鸿;李宜璋;蔡豪殷;何淑静 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种芯片的导电结构，包含一接地层、一介电层、一重新分布层、一凸块下金属层及一焊块。其中，接地层与芯片的接地焊盘相连接，而介电层覆盖于接地层上。由此，导电结构可达到阻抗匹配，特别适用于可传输高频信号的芯片的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 导电 结构 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的导电结构，其特征在于，包含：一重新分布层，形成于所述芯片的一上方，其具有一第一导电区域及一第二导电区域，所述第一导电区域与所述芯片电性连接；一凸块下金属层，形成于所述重新分布层的第二导电区域上，并与其电性连接；一焊块，形成于所述凸块下金属层上，并与其电性连接；其特征在于：所述芯片及所述重新分布层之间，另设有：一接地层，形成于所述芯片上；以及一介电层，覆盖所述接地层。
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