[发明专利]电子元件及其制备方法有效
| 申请号： | 200810092374.5 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101325121A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 桑岛一 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F27/29 | 分类号： | H01F27/29;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子元件及其制备方法。该电子元件设置有第一导体；用于覆盖第一导体的表面的绝缘体；贯穿绝缘体的通孔；位于所述绝缘体的表面上并且通过所述通孔与所述第一导体电连接的第二导体；以及包括具有导电性的防护膜，所述防护膜被插入在所述第一导体和第二导体之间，并且通过至少从构成所述通孔的底面的第一导体表面连续地延伸到通孔的内壁表面，覆盖介于所述第一导体和在通孔内的绝缘体之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，其包括：由导电材料制成的第一导体；由绝缘材料制成的并且被配置为覆盖所述第一导体的表面的绝缘体；贯穿所述绝缘体的通孔；由导电材料制成的第二导体，所述第二导体位于所述绝缘体的表面上，并且通过所述通孔与所述第一导体电连接；以及具有导电性的防护膜，所述防护膜被插入在所述第一导体和所述第二导体之间，并且通过至少从构成所述通孔的底面的第一导体表面连续地延伸到所述通孔的内壁表面，覆盖介于所述第一导体和在所述通孔内的绝缘体之间的界面。
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