[发明专利]有源矩阵基板、其制造方法、电光装置、其制造方法及电子设备有效
申请号: | 200810092381.5 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101295680A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 守谷壮一;川濑健夫;宫本勉;中村洁 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/28;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/167 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于提供可以充分应对静电的有源矩阵基板及其制造方法,电光装置及其制造方法、电子设备。其包括:基板(20);多个像素部;对多个像素部进行开关的薄膜晶体管;与有机薄膜晶体管(10a)电连接的多根源线(33a)和多根栅线(34a);以及将多根源线(33a)和多根栅线(34a)连接的导通布线(36),在制造有源矩阵基板(10)之后,使导通部(36)的导电性消失。 | ||
搜索关键词: | 有源 矩阵 制造 方法 电光 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板的制造方法,该有源矩阵基板包括:基板;多个像素部;对上述多个像素部进行开关的薄膜晶体管;以及与上述薄膜晶体管电连接的多根源线和多根栅线,该方法的特征在于,包括:第1步骤,其中,在形成上述源线和上述栅线中的任意一方的同时,通过有机导电性材料,形成使上述源线和上述栅线导通的导通部;和断开上述导通部的导通的第2步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810092381.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造