[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 200810092602.9 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290963A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;藏本恭介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制工作电压的氮化物半导体元件，目的在于提供一种适于在较低的电压下的利用的由氮化物系半导体构成的半导体激光器或发光二极管等发光元件。具有：p型接触层(28)；形成在p型接触层(28)下层的p型中间层(26)；形成在p型中间层的下层的p型覆盖层(24)。p型接触层(28)和所述p型中间层(26)之间、以及p型中间层(26)与所述p型覆盖层(24)之间的带隙差分别为200meV以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，具有：p型接触层；p型中间层，形成在所述p型接触层的下层；p型覆盖层，形成在所述p型中间层的下层，所述p型接触层与所述p型中间层间、以及所述p型中间层与所述p型覆盖层间的带隙差分别为200meV以下。
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