[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810093177.5 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101304006A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | Z·豪森;F·Y·罗伯;P·温卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体元件及制造半导体元件的方法，其中所述半导体元件包括肖特基器件、边缘终端结构、非肖特基半导体器件及其组合。半导体材料包括布置在半导体基片上的第一外延层和布置在第一外延层上的第二外延层。第二外延层的电阻系数高于半导体基片的电阻系数。肖特基器件和非肖特基半导体器件由第二外延层制造。根据另一实施方案，半导体材料包括布置在半导体基片上的外延层。外延层的电阻系数高于半导体基片的电阻系数。掺杂区形成在外延层中。肖特基器件和非肖特基半导体器件由外延层制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体元件的方法，其包括：提供半导体材料，所述半导体材料包括布置在基片上的第一外延层和布置在所述第一外延层的部分上的第二外延层；以及由所述第二外延层的第一部分形成肖特基器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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