[发明专利]集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 200810093276.3 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101515566A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王泳弘;王郁仁;庄育灶;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/22;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路的制造方法，包括形成多个磁性隧道结层；蚀刻这些磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元；以及形成一介电覆盖层在磁性隧道结单元的多个侧壁上，其中形成介电覆盖层的步骤与蚀刻磁性隧道结层的步骤是原处进行。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路的制造方法，其特征在于，至少包括：形成多个磁性隧道结层；蚀刻所述磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元；以及形成一介电覆盖层在该磁性隧道结单元的多个侧壁上，其中形成该介电覆盖层的步骤与蚀刻所述磁性隧道结层的步骤是原处进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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