[发明专利]横向DMOS器件及其制造方法

摘要

一种横向DMOS器件，具有防止半导体器件击穿同时增强击穿电压性能的结构。该横向DMOS器件可包括体二极管区，该体二极管区具有：形成在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型阱区，第二导电类型阱区包括各自形成在第二导电类型阱区中的第一导电类型体区和漏极区；第一导电类型杂质区，形成在第一导电类型体区中；源极区，形成在第一导电类型体区中；以及栅极绝缘膜和栅电极，形成在第一导电类型半导体衬底上，其中，第一导电类型体区和第二导电类型阱区构成体二极管。该横向DMOS器件还包括保护二极管区，其中，以预定间隔形成第一导电类型杂质区，其中，第一导电类型体区和第二导电类型阱区构成保护二极管。

主权项

1.一种制造具有体二极管的横向DMOS器件的方法，所述方法包括：在第一导电类型半导体衬底上形成第二导电类型阱，以及在所述第二导电类型阱中形成漏极区和第一导电类型体区；然后在所述第一导电类型体区中形成第一导电类型杂质区；然后在除了将要形成保护二极管的区域以外的指定区域中靠近所述第一导电类型杂质区形成源极区；然后在其中形成有所述源极区的所述半导体衬底的器件隔离区中形成场绝缘膜；然后在其上形成有所述场绝缘膜的半导体衬底的栅极形成区中形成栅极绝缘膜和栅电极。