[发明专利]一种去除残留缺陷的方法无效
| 申请号： | 200810094532.0 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101562147A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘长安;陈立轩 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种去除残留缺陷的方法，包括：步骤1，提供一半导体结构，该半导体结构中具有已填充有金属的接触窗；步骤2，在上述半导体结构上再次沉积金属层；步骤3，对沉积的金属层进行化学机械研磨处理。本发明的有益效果在于在化学机械研磨前，重新沉积金属薄膜，将回蚀刻制程形成的缺陷完全覆盖，从而尽可能地避免研磨液中如纳米级SiO2的颗粒的残留，以达到改善产品缺陷之目的。并且该方法简单易行，仅需增加一道工序即可避免缺陷的产生，实用价值较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 残留 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种去除残留缺陷的方法，其特征在于包括：步骤1，提供一半导体结构，该半导体结构中具有已填充有第一金属层的接触窗；步骤2，在上述半导体结构上再次沉积第二金属层；步骤3，对沉积的第二金属层进行化学机械研磨处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技（苏州）有限公司，未经和舰科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810094532.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
