[发明专利]半导体器件和用于制造BOAC/COA的方法无效
| 申请号： | 200810094759.5 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308829A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金相喆 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及制造BOAC/COA的方法。半导体器件的BOAC/COA通过以下步骤制造：在半导体器件之上形成导电焊盘；在包括导电焊盘的半导体器件之上形成钝化氧化膜；在导电焊盘和钝化氧化膜的整个表面上形成氧化膜；在导电焊盘上形成限定结合焊盘区的氧化膜图案；在氧化膜图案、钝化氧化膜和导电焊盘之上依次地形成屏蔽膜和金属种子层；在金属种子层之上形成金属层；整平金属层，从而使氧化膜图案以及屏蔽膜和金属种子层的一部分露出；以及通过蚀刻工艺去除氧化膜图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 boac coa 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底之上的导电焊盘；形成在所述半导体衬底之上和所述导电焊盘的一部分之上的钝化氧化膜；形成在所述导电焊盘和所述钝化氧化膜之上的屏蔽膜；形成在所述屏蔽膜之上的金属种子层；以及形成在包括所述金属种子层的所述导电焊盘之上的金属层，所述金属层限定结合焊盘区，其中所述屏蔽膜和所述金属种子层设置在所述金属层的侧壁上。
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