[发明专利]二次电池用负极及其制造方法、以及二次电池有效
| 申请号： | 200810094948.2 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101388450A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 小西池勇;川濑贤一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭 放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种适合于锂离子二次电池等的，高容量且充放电循环特性优异、不可逆容量的发生少的二次电池用负极。设置在负极集电体上的负极活性物质层中的硅具有局部有序性的程度低的非晶结构。在设因横波光学声子产生的散射而出现在偏移位置480cm-1附近上的散射峰的强度为TO、因纵波声学声子引起的散射而出现在偏移位置300cm-1附近的散射峰的强度为LA、因纵波光学声子产生的散射而出现在偏移位置400cm-1附近的散射峰的强度为LO时，该非晶结构的初次充放电后的拉曼光谱满足以下的关系：0.25≤LA/TO和/或0.45≤LO/TO。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 负极 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1. 一种在负极集电体上设置有含硅的负极活性物质层的二次电池用负极，其特征在于：上述负极活性物质层中的硅具有非晶结构，并且，在设因横波光学声子产生的散射而出现在偏移位置480cm-1附近的散射峰的强度为TO、因纵波声学声子产生的散射而出现在偏移位置300cm-1附近的散射峰的强度为LA、因纵波光学声子产生的散射而出现在偏移位置400cm-1附近的散射峰的强度为LO时，其初次充放电后的拉曼光谱满足以下关系：0. 25≤LA/TO和/或0.45≤LO/TO。
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