[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200810095152.9 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101261990A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | H·萨库莱 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L27/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置。为了改善硅衬底同一芯片上的每个半导体元件的特性或者不损害特性地效率良好地进行微细化,按每个元件应用三个以上的不同的硅面方位,由此,关于各元件所要求的至少面方位所影响的特性,选择成为最优的面方位。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,由在芯片状的硅衬底或晶片状的硅衬底上所形成的多个半导体元件构成,其特征在于,在所述硅衬底的表面,构成具有至少三个以上分别不同的面方位的半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的