[发明专利]调变触发式静电放电防护器件有效

专利信息
申请号: 200810095226.9 申请日: 2008-05-05
公开(公告)号: CN101577275A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 周业宁;邱华琦 申请(专利权)人: 世界先进积体电路股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L23/522
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种调变触发式静电放电防护器件,该器件包括一半导体基底,一高压N-型阱于该P-型半导体基底中,一N-型漏极飘移(NDD)区、一第一P-型体掺杂区及一第二P-型体掺杂区设置于该高压N-型阱中,其中该第一P-型体掺杂区和该第二P-型体掺杂区相隔一特定距离,且其中NDD区和该第一P-型体掺杂区隔以一隔离区。一N-型漏极掺杂区设置于该NDD区中,一N-型浓掺杂区设置于该第一P-型体掺杂区中,一P-型浓掺杂区设置于该第二P-型体掺杂区中,一第一栅极设置于该N-型浓掺杂区与该隔离区间,以及一第二栅极设置于该N-型浓掺杂区与该P-型浓掺杂区间。本发明有效地降低触发电压,减少器件占据的面积,有利于器件布局微缩。
搜索关键词: 触发 静电 放电 防护 器件
【主权项】:
1.一种调变触发式静电放电防护器件,其特征在于,该器件包括:一半导体基底;一第一晶体管具有一第一漏极连接一第一电位、一第一源极连接一第二电位、一第一栅极连接一电容的第一端且连接一电阻的第二端;一第二晶体管具有一第二漏极连接所述的第一晶体管的基体、一第二源极连接所述的第二电位和所述的电阻的第一端、一第二栅极连接所述的第一晶体管的第一栅极,其中所述的第二晶体管的基体连接所述的第一电位且连接至所述的电容的第二端。
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