[发明专利]调变触发式静电放电防护器件有效
申请号: | 200810095226.9 | 申请日: | 2008-05-05 |
公开(公告)号: | CN101577275A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 周业宁;邱华琦 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/522 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种调变触发式静电放电防护器件,该器件包括一半导体基底,一高压N-型阱于该P-型半导体基底中,一N-型漏极飘移(NDD)区、一第一P-型体掺杂区及一第二P-型体掺杂区设置于该高压N-型阱中,其中该第一P-型体掺杂区和该第二P-型体掺杂区相隔一特定距离,且其中NDD区和该第一P-型体掺杂区隔以一隔离区。一N-型漏极掺杂区设置于该NDD区中,一N-型浓掺杂区设置于该第一P-型体掺杂区中,一P-型浓掺杂区设置于该第二P-型体掺杂区中,一第一栅极设置于该N-型浓掺杂区与该隔离区间,以及一第二栅极设置于该N-型浓掺杂区与该P-型浓掺杂区间。本发明有效地降低触发电压,减少器件占据的面积,有利于器件布局微缩。 | ||
搜索关键词: | 触发 静电 放电 防护 器件 | ||
【主权项】:
1.一种调变触发式静电放电防护器件,其特征在于,该器件包括:一半导体基底;一第一晶体管具有一第一漏极连接一第一电位、一第一源极连接一第二电位、一第一栅极连接一电容的第一端且连接一电阻的第二端;一第二晶体管具有一第二漏极连接所述的第一晶体管的基体、一第二源极连接所述的第二电位和所述的电阻的第一端、一第二栅极连接所述的第一晶体管的第一栅极,其中所述的第二晶体管的基体连接所述的第一电位且连接至所述的电容的第二端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的