[发明专利]多晶片3D CAM单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200810095236.2 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101308840A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | J·S·阿特瓦尔;J·S·巴恩斯;K·伯恩斯坦;R·J·布茨基;J·A·考科斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶片3D CAM单元及其制造方法。提供了一种多晶片CAM单元，其中基本上减小了增加传输距离的不利影响。利用三维集成获得本发明的多晶片CAM单元，其中多个有源电路层被垂直堆叠并采用垂直对准的互连以将叠层中的一个叠层中的器件连接到另一叠层中的另一器件。通过垂直对准的互连垂直堆叠多个有源电路层，可以在主数据存储单元之上或之下的独立的层上实现所述多晶片CAM的每个比较端口。这允许在与标准随机存储器(RAM)相同的面积足印内实现所述多晶片CAM结构，从而最小化数据存取和匹配比较延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 cam 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶片CAM单元，包括：位于第一结构中的至少一个比较基元，垂直堆叠在位于第二结构中的至少一个存储基元的顶上或之下，所述至少一个比较基元和所述至少一个存储基元位于独立的晶片中并通过至少一个垂直导电填充的过孔互连。
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