[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：元件隔离区域，以埋入半导体基板中的状态形成，使得半导体基板的元件形成区域夹置在该元件隔离区域之间；栅极电极，形成在元件形成区域上，且栅极绝缘膜夹置在栅极电极和元件形成区域之间，该栅极电极形成为跨过该元件形成区域；以及源－漏区域，形成在栅极电极两侧上的元件形成区域中，其中由栅极电极下面的元件形成区域制造的沟道区域形成为从元件隔离区域突出，并且源－漏区域形成到比元件隔离区域的表面深的位置。

主权项

1、一种半导体器件，包括：元件隔离区域，以埋入半导体基板中的状态形成，使得所述半导体基板的元件形成区域夹置在该元件隔离区域之间；栅极电极，形成在所述元件形成区域上，且栅极绝缘膜设置在所述栅极电极和所述元件形成区域之间，所述栅极电极形成为跨过所述元件形成区域；以及源-漏区域，形成在所述栅极电极两侧的所述元件形成区域中，其中由所述栅极电极下面的所述元件形成区域制成的沟道区域形成为从所述元件隔离区域突出，并且所述源-漏区域形成到比所述元件隔离区域的表面深的位置。