[发明专利]一种制作金属栅极结构的方法

摘要

一种制作金属栅极结构的方法，首先提供一定义有隔离区域和有源区域的半导体基底，再于半导体基底上形成一多晶硅材料，接着平坦化该多晶硅材料，并图案化该平坦化的多晶硅材料，以于该半导体基底上形成至少一第一栅极与一第二栅极，其中该第一栅极位于该有源区域上而该第二栅极则有部分横跨于该隔离区域上，然后于该半导体基底上形成一层间介电层覆盖这些栅极，再平坦化该层间介电层，直至暴露出这些栅极，随后移除这些栅极，以于该层间介电层中形成相对应的凹槽，最后于这些凹槽表面形成一栅极介电材料，再于这些凹槽中实质上填满至少一金属材料。

主权项

1.一种制作金属栅极结构的方法，包含有：提供半导体基底，该半导体基底上定义有至少一隔离区域和至少一有源区域；于该半导体基底上形成介电材料；于该半导体基底上形成多晶硅材料；平坦化该多晶硅材料，以于该半导体基底上形成平坦的多晶硅材料；图案化该平坦化的多晶硅材料与该介电材料，以于该半导体基底上形成至少第一栅极与第二栅极，其中该第一栅极位于该有源区域上而该第二栅极则有部分横跨于该隔离区域上；于该半导体基底上形成一层间介电材料覆盖这些栅极；移除部分该层间介电材料，直至暴露出这些栅极；进行蚀刻工艺，移除这些栅极，以于该层间介电层中形成分别对应至该第一栅极与该第二栅极的第一凹槽和第二凹槽；于这些凹槽中形成至少一金属材料。