[发明专利]相变化存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种相变化存储器及其制造方法。根据本发明一实施例，该相变化存储器包括：基底；多条彼此平行的长直状介电层于该基底之上；多个彼此相隔的导电层图案覆盖该介电层的部分上表面及部分第一侧壁，且覆盖于部分基底，并露出该长直状介电层未被覆盖的部分第一侧壁及第二侧壁；相变化间隙壁形成于该基底之上并与该长直状介电层所露出的第一及第二侧壁接触，其中覆盖同一长直状介电层的两相邻导电层图案，通过该相变化间隙壁达到电性连接；以及介电层坦覆性形成于该基底之上，其中该介电层具有接触窗露出该导电层图案的上表面。

主权项

1.一种相变化存储器，包括：基底；多条彼此平行的长直状介电层于该基底之上；多个彼此相隔的导电层图案覆盖该长直状介电层的部分上表面及部分第一侧壁，且覆盖于部分基底，并露出该长直状介电层未被覆盖的部分第一侧壁及第二侧壁，其中覆盖同一长直状介电层的两相邻导电层图案，彼此相隔一特定距离而没有互相连接；相变化间隙壁形成于该基底之上并与该长直状介电层所露出的第一及第二侧壁接触，其中覆盖同一长直状介电层的两相邻导电层图案，通过该相变化间隙壁达到电性连接；以及介电层坦覆性形成于该基底之上，其中该介电层具有接触窗露出该导电层图案的上表面。