[发明专利]降低封装翘曲度的热处理方法无效
| 申请号： | 200810096293.2 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101271851A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张云龙;黄奕铭;陈星豪 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种热处理方法，其包括提供一导线架型半导体封装半成品并导入一加热方法。导线架型半导体封装半成品包括一导线架以及一封胶体。导线架包含多个封装单元，而且封胶体包覆这些封装单元。加热方法设有一置入温度以及一峰值温度。导线架型半导体封装半成品的温度由置入温度经一热反应时间而到达峰值温度，并使导线架型半导体封装半成品的形变量降低或使导线架与封胶体间的应力得以释放以降低翘曲度，其中峰值温度设定在190度～260度之间。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 封装 曲度 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以降低封装翘曲度的热处理方法，其特征在于，该热处理方法包括：提供一导线架型半导体封装半成品，该导线架型半导体封装半成品包括：一导线架，该导线架包含多个封装单元；以及一封胶体，该封胶体包覆该些个封装单元；导入一加热方法，该加热方法设有一置入温度以及一峰值温度，其中该导线架型半导体封装半成品的温度由该置入温度经一热反应时间而到达该峰值温度，并使该导线架型半导体封装半成品的形变量降低或使该导线架与该封胶体间的应力得以释放以降低翘曲度，该峰值温度设定在190度～260度之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810096293.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种浮法玻璃
- 下一篇：负离子净化节能日光灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
