[发明专利]半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件无效
| 申请号： | 200810096362.X | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101262118A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;久纳康光;别所靖之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件的制作方法和半导体激光元件，即使在使半导体激光元件部的宽度较小的情况下，也能够抑制半导体激光元件的处理(handling)变难的情况。该半导体激光元件的制造方法包括：在第一基板上，在与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔着规定的间隔形成多个第一半导体激光元件部的工序；将多个第一半导体激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；将接合在第二基板上的多个第一半导体激光元件部中的一部分从第一基板剥离的工序；和沿第二方向分割第二基板的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在第一基板上，在与谐振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔着规定的间隔形成多个第一半导体激光元件部的工序；将所述多个第一半导体激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；将接合在所述第二基板上的所述多个第一半导体激光元件部中的一部分从所述第一基板剥离的工序；和沿所述第二方向分割所述第二基板的工序。
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