[发明专利]半导体蚀刻残渣清除剂和清洁剂组合物无效
| 申请号： | 200810096372.3 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101270324A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | R·J·罗维托;F·W·乔布;V·P·罗瓦列卡;A·K·穆图库马兰 | 申请（专利权）人： | 综合化学特性产品有限责任公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;G03F7/42;C11D7/02;C11D1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于去除来自铜的低K值绝缘半导体设备后蚀刻和灰尘的水性和半水性配方。该组合物含有多羧酸缓冲体系、氟化物体系、水、用于所述水性组合物的可与水混合的有机溶剂以及任选的螯合剂、金属腐蚀抑制剂和表面活性剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 残渣 清除 清洁剂 组合 | ||
【主权项】：
1用于半导体设备的清洁组合物，选自水性和半水性组合物，包括：(a)约0.5-约20％的有机水溶性多质子羧酸；(b)按比例与上述酸形成有效缓冲液的无金属碱；(c)约20-约95％的水；(d)约0-约60％的可与水混合的有机溶剂；以及(e)约0.25-约5％的氟化物源。
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