[发明专利]半导体发光元件及其晶粒制作方法无效
| 申请号： | 200810096702.9 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577299A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 曾文良;陈隆欣 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨;吴世华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件及其晶粒制作方法，该半导体发光元件，包含一衬底、一外延层、至少一金属反射层和一保护层。该外延层生长于该衬底的正面。该至少一金属反射层形成于该衬底的背面。该保护层形成于该金属反射层之上并包覆该金属反射层。本发明公开的半导体发光元件和其晶粒制作方法，在使用锡合金固晶时，可有效抵抗爬锡现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 晶粒 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包含：一衬底；一外延层，生长于该衬底的正面；至少一金属反射层，形成于该衬底的背面；以及一保护层，形成于该金属反射层之上并包覆该金属反射层。
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