[发明专利]烧结的功率半导体基片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810096734.9 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101304017A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | C·格布尔;H·布拉姆尔;U·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/15;H01L21/48;H05K1/02;H05K1/03;H05K3/00;H05K3/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 沈英莹 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种功率半导体基片，包括一绝缘的面状的基体、至少一个在至少一个主面上设置的层序列，其包括一薄的粘附连接层、一烧结金属层和一导电层。所属的方法具有以下主要的步骤：对面状的绝缘的基本的至少一个主面的至少一部分表面涂覆粘附连接层；将一由烧结金属和一溶剂制成的膏状层设置在粘附连接层的一部分表面上或整个表面上；将导电层设置在烧结金属层上；对功率半导体基片的导电层施加压力。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 功率 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.功率半导体基片(10)，包括一绝缘的面状的基体(12)、至少一个在至少一个主面(120、122)上设置的层序列，所述层序列包括一薄的粘附连接层(20、22、24)、一烧结金属层(30、32、34)和一导电层(40、42、44)。
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