[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200810096758.4 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101304009A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 李相熙;曹甲焕 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/522;H01L27/02;H01L21/00;H01L21/768;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件及其制造方法,公开了用于半导体器件的重叠的虚设图案。根据本发明的实施例,第一虚设图案形成在衬底上;第二虚设图案形成为与所述第一虚设图案重叠;以及,第三虚设图案形成为用以提供所述第一虚设图案和所述第二虚设图案之间的电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一虚设图案,其位于衬底上;第二虚设图案,其形成为与所述第一虚设图案重叠;以及第三虚设图案,其用于将所述第一虚设图案电连接至所述第二虚设图案。
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