[发明专利]过程监控器以及半导体制造装置有效
| 申请号： | 200810096963.0 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101299407A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 汤浅光博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明使用设置在半导体晶片上的传感器作为过程监控器，并采用电容器作为其电源。电容器可以由多晶硅和氮化硅在晶片上层积形成。此外，安装定时器，使得可以对过程监控器的操作时间或操作时刻进行指定。进而，通过将关键字存储在过程监控器的ROM中，防止了不正当的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 过程 监控器 以及 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于监控半导体制造过程的过程监控装置，其包括：容器元件；监控器元件，其包括晶片和多个附接到所述晶片的传感器，所述监控器元件能够由搬送机器人搬送到处理设备的目标环境中或者搬送到所述容器元件中；以及附接到所述容器元件的电子模块，所述电子模块在所述监控器元件被搬送到所述容器元件中时可与所述监控器元件通信。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
