[发明专利]肖特基二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 200810097192.7 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101315952A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·T·库杜斯;杜尚晖;A·罗斯帕尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/06;H01L21/329;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管及其形成方法。在一个实施方案中，肖特基二极管与其他半导体器件一起在半导体衬底上形成，并且还形成有高的击穿电压和低的正向电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其包括：第一传导类型的衬底，其具有第一掺杂浓度并且具有表面；第二传导类型的第一掺杂区，其具有第二掺杂浓度并且在所述衬底的所述表面上形成；所述第二传导类型的第二掺杂区，其具有大于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度，所述第二掺杂区在所述衬底的所述表面上形成并与所述第一掺杂区重叠；所述第二传导类型的第三掺杂区，其具有大于所述第二掺杂浓度的第四掺杂浓度，所述第三掺杂区在所述衬底的所述表面上形成，并且与所述第一掺杂区重叠，其中，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区间隔开第一距离；第一导体，其在所述第二掺杂区上形成，并与其形成肖特基结；以及第二导体，其被配置成形成与所述第三掺杂区的欧姆接触。
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