[发明专利]基于第Ⅲ族氮化物的化合物半导体发光器件

摘要

通过向氧化钛层中加入可获得良好电导率范围内的杂质(例如，铌(Nb))改善其折射率。本发明的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件包括蓝宝石衬底、氮化铝(AlN)缓冲层、n－接触层、n－覆层、多量子阱层(发光波长：470nm)、p－覆层和p－接触层。在p－接触层上提供由氧化钛铌制成并具有浮凸的透明电极。在n－接触层上提供电极。在透明电极的一部分上提供电极垫。由于透明电极由含3％铌的氧化钛形成，其对于光(波长：470nm)的折射率变得和p－接触层几乎相同。因此，最大可能地避免p－接触层和透明电极之间界面处的全反射。此外，由于所述浮凸，光提取性能提高了30％。

主权项

1.一种具有透明电极的基于第III族氮化物的化合物半导体发光器件，其中所述透明电极包含用至少一种选自以下物质掺杂的氧化钛：铌(Nb)、钽(Ta)、钼(Mo)、砷(As)、锑(Sb)、铝(Al)和钨(W)，掺杂的摩尔比为相对于钛(Ti)的1～10％，并且所述透明电极在其至少一部分上具有浮凸。