[发明专利]半导体元件中高压漂移的制造方法无效
| 申请号： | 200810098255.0 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315896A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 金栽熙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 采用STI(浅沟槽隔离工艺)形成的高压晶体管的漂移。形成半导体元件的高压漂移的方法包括：在具有高压阱的半导体衬底上形成垫片绝缘薄膜；然后通过对该垫片绝缘薄膜的一部分图案化打开半导体衬底的一个区域；然后对半导体衬底的打开区域进行蚀刻形成一个沟槽；然后采用图案化的垫片绝缘薄膜作为掩模通过进行第一离子注入工艺在所述的半导体衬底上形成第一漂移；然后通过将元件隔离材料填缝在沟槽内形成元件隔离薄膜；然后除去已图案化的垫片绝缘薄膜并随后与所述元件隔离薄膜的一部分重叠的栅极电极；然后在由该栅极电极暴露的半导体衬底的区域内通过进行第二离子注入工艺形成与第一漂移相连接的第二漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 高压 漂移 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.用于形成半导体元件的高压漂移的方法，包括：在具有高压阱的半导体衬底上形成垫片绝缘薄膜；然后通过对所述垫片绝缘薄膜的一部分进行图案化打开所述半导体衬底的一个区域；然后对所述半导体衬底的该打开的区域进行蚀刻以形成沟槽；然后采用该图案化的垫片绝缘薄膜作为掩模通过进行第一离子注入工艺在所述半导体衬底中形成第一漂移；然后通过将元件隔离材料填缝在所述沟槽内形成元件隔离薄膜；然后除去该图案化的垫片绝缘薄膜并随后形成与所述元件隔离薄膜的一部分重叠的栅极电极；然后在由所述栅极电极暴露的所述半导体衬底的区域内通过进行第二离子注入工艺形成与所述第一漂移相连接的第二漂移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
