[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号： | 200810098406.2 | 申请日： | 2008-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101325195A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 安食秀一;川上康之;赤木努;原田光范 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光装置。提供了一种组合有多个LED芯片和荧光体层的发光装置，以显著地减小色度和亮度的变化。所述多个半导体发光器件(LED芯片)间设置有间隙，并且在其上表面上形成有荧光体层，以桥接在LED芯片之间的间隙上。所述荧光体层可以在厚度方面均匀，但优选的是，在LED芯片之间的间隙上的厚度小于在LED芯片的上表面上的厚度。所述荧光体层连续形成于芯片阵列的上表面上，并且在芯片之间不存在荧光体。这可以减小由于间隙或间隙之间存在的荧光体层而可能导致的亮度和色度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：多个半导体发光器件，每个所述半导体发光器件都具有上表面和侧表面，所述多个半导体发光器件彼此隔开，在相邻半导体发光器件的侧表面之间具有间隙；和波长转换层，该波长转换层包含用于对由所述多个半导体发光器件发射的光的至少一部分进行波长转换的波长转换材料，所述波长转换层被形成为桥接全部所述多个半导体发光器件的所述上表面。
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