[发明专利]自旋累积磁化反转型存储元件及自旋RAM

摘要

本发明涉及存储元件及自旋RAM。本发明提供一种耐久性优良的自旋存储器。其具备铁磁性字线、与铁磁性字线交叉的非磁性位线、与铁磁性字线相对的布线和在铁磁性字线及非磁性位线的交叉部分和布线之间设置的磁阻效应元件。在写入动作时，通过使电流在铁磁性字线和上述非磁性位线之间流动，并使自旋从铁磁性字线累积到非磁性位线，从而使磁阻效应元件的自由层的磁化方向反转。在读出动作时，使电流在非磁性位线和布线之间流动，使电流沿磁阻效应元件的膜厚方向流动。

主权项

1.一种存储元件，其特征是，具有：铁磁性字线，与上述铁磁性字线交叉的非磁性位线，与上述铁磁性字线相对的布线，在上述铁磁性字线及上述非磁性位线的交叉部分和上述布线之间设置的磁阻效应元件；上述磁阻效应元件具有在上述布线侧设置的第一铁磁性层，在上述铁磁性字线侧设置的第二铁磁性层，在上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间设置的非磁性层；在写入动作时，通过使电流在上述铁磁性字线和上述非磁性位线之间流动，使自旋从上述铁磁性字线累积到非磁性位线，从而使上述第二铁磁性层的磁化方向反转；在读出动作时，使电流沿上述磁阻效应元件的膜厚方向流动。