[发明专利]一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法无效
| 申请号： | 200810098871.6 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345286A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王寅岗;李子全;陈建康;周广宏 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01F10/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 魏学成 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法，属磁电子学和磁记录技术领域。它包括以下步骤：(1)沉积磁性层；(2)利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备，进行离子辐照改性；其特征在于：离子辐照的剂量为5×1011～5×1014ions/cm2。本方法可应用于由磁性多层膜构成的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等磁敏感器件中的磁敏感单元，具有方法简单、效果好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁性 多层 膜结构 偏置 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法，包括以下步骤：(1)、按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性多层膜，在沉积磁性层时，根据需要施加50～500Oe的平面诱导磁场或沉积完成后进行必要磁场热处理；(2)、利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备，对按上述第(1)步方法制备的磁性多层膜或此磁性多层膜构成的磁性敏感单元所需改性的部位进行离子辐照改性；其中离子辐照参数为：离子束能量为10～30keV，离子束流为100pA～5nA；其特征在于：离子辐照的剂量为5×1011～5×1014ions/cm2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学，未经南京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810098871.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
