[发明专利]薄膜电阻结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810099311.2 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101577159A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 陈友忠;李鸿坤;翁荣洲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/06;H05K1/16;H05K3/30;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电阻结构。该结构包括一电阻层。该电阻层包括：一铜氧化物层以及位于铜氧化物层上的多个金属岛状物。该铜氧化物层表面具有多个相邻的瘤形(nodule-shaped)凹口区，且该瘤形凹口区之间具有网状分布的空隙。金属岛状物分别设置于瘤形凹口区之间的空隙。本发明还公开了上述薄膜电阻结构的制造方法。该薄膜电阻结构可有效提高片电阻值(sheet resistance，ρs)并维持低电阻温度系数(temperature coefficient ofresistance，TCR)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜电阻结构，其特征在于，包括：一电阻层，包括：一铜氧化物层，其表面具有多个相邻的瘤形凹口区，且该瘤形凹口区之间具有网状分布的空隙；以及多个金属岛状物，位于该铜氧化物层上，且分别设置于该瘤形凹口区之间的空隙。
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