[发明专利]制备宽频带吸波磁性多层膜的方法无效
| 申请号： | 200810099401.1 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101285170A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 薛德胜;范小龙;李发伸 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54;B32B15/01 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在基底材料上制备出宽频段吸波层的方法。本发明制备宽频带吸波磁性膜的方法是：首先在基底材料上采用真空溅射法生成截止频率为f1的第一磁性材料层，再在第一磁性材料层上生成第一隔离层，如此重复前述过程，最终在基底上形成由隔离层相隔的由不同截止频率的磁性材料层构成的n层磁性材料薄膜，其中的隔离层可用通常的物理成膜技术生成。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 宽频 带吸波 磁性 多层 方法 | ||
【主权项】：
1.制备宽频带吸波磁性膜的方法，其特征是：首先在基底材料上采用真空溅射法生成截止频率为f1的第一磁性材料层，再在第一磁性材料层上生成一层由非磁性材料构成的隔离层，然后再隔离层上溅射生成截止频率为f2的第二磁性材料层，再在第二磁性材料层上生成由非磁性金属材料构成的第二隔离层，如此重复前述过程，在基底上形成由非磁性金属材料构成的隔离层相隔的由不同截止频率的磁性材料层构成的n层磁性材料薄膜，其中的非磁性金属材料隔离层为30～50纳米。
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