[发明专利]中空阳极等离子体反应器与方法有效
申请号: | 200810099586.6 | 申请日: | 2002-05-14 |
公开(公告)号: | CN101290873A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 大卫·W·本辛;巴巴克·卡德霍达扬 | 申请(专利权)人: | 科林研发公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;C23F4/00;H05H1/46 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;谷惠敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 等离子体处理设备包括等离子体室、第一电极、第二电极与等离子体容器设备。等离子体容器设备具有多个槽并且电连接到第一电极。容器设备用于将等离子体限制在中间电极空间内,并且有利于最大程度的处理气体流动。当在中间电极空间内通过将电场应用于处理气体而产生等离子体时,容器设备将等离子体电子地限制在中间电极空间而没有显著的限制来自中间电极空间的气体的流动。 | ||
搜索关键词: | 中空 阳极 等离子体 反应器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体约束系统,包括:电气接地;与所述电气接地连接的等离子体室;与所述等离子体室连接的真空泵;与所述等离子体室连接的处理气体源;第一电极,具有面对所述等离子体室的内部的表面;第二电极,具有面对所述等离子体室的所述内部的表面,所述表面邻近并基本平行于所述第一电极;设置在所述第一和第二电极之间的室壳体空间;邻近所述室壳体空间设置的第二空间;以及基本上密封所述室壳体空间并与所述电气接地电气连接的容器设备,所述容器设备包括至少一个允许气体在所述室壳体空间和第二空间之间流动的轨道,所述至少一个轨道用来保持所述室壳体空间和第二空间中的至少一个的压力水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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