[发明专利]用于生产金属半导体接触的半导体元件和方法有效
| 申请号： | 200810099666.1 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101369563A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | B·威尔德潘纳;H·冯坎佩;W·巴斯 | 申请（专利权）人： | 肖特太阳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/768;H01L31/042;H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 朱海煜;刘春元 |
| 地址： | 德国阿*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明为用于生产金属半导体接触的半导体元件和方法，涉及一种半导体元件，包括了由半导体材料制成的第一层(10)，在第一层(10)上延伸的第二层(12)，至少两个在第一层和第二层之间延伸的由第一层和第二层的材料构成的中间层(14，16)，靠近第二层(12)的第一中间层(16)包含由第一层的材料和第二层的材料制成的共晶体混合物(18)，以及形成与第一层的导电连接并始于第二层或者通过第二层的导电接触(15，15a，15b)，还涉及产生金属半导体接触的方法。为了在第二层的材料的区域中产生机械上牢固的电气完好的可移除的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 金属 半导体 接触 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括由半导体材料组成的作为衬底的第一层(10)，在所述第一层(10)上延伸的第二层(12)，在所述第一层和所述第二层之间延伸的由所述第一层和所述第二层的材料构成的至少两个中间层(14，16)，其中面对所述第二层(12)的第一中间层(16)能够包含所述第一层和所述第二层的材料的共晶体混合物(18)，以及形成与所述第一层的导电连接且始于所述第二层或者通过所述第二层的导电接触(15，15a，15b)，其特征在于，所述导电接触(15，15a，15b)包括可焊的或者可湿性金属材料，所述材料扩散到所述第二层(12)中或者与所述第二层的材料形成混合物。
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