[发明专利]制造晶片级封装的方法无效
申请号: | 200810099766.4 | 申请日: | 2008-06-04 |
公开(公告)号: | CN101404258A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 田亨镇;李成;权宁度;李钟润;姜埈锡;朴升旭 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明披露了一种制造晶片级封装的方法。该方法可以包括在晶片基板上堆叠绝缘层;在该绝缘层中加工通孔;在该绝缘层上形成种子层;在该种子层上形成抗镀层,该抗镀层与重分布图案具有对应的关系;通过电镀形成包括用于外部接触的端子的重分布图案;以及,将导电球连接至端子。因为利用便宜的PCB工艺可形成多个重分布层,因此可以降低制造成本,并且可以提高该方法的稳定性和效率。 | ||
搜索关键词: | 制造 晶片 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造晶片级封装的方法,所述方法包括:在晶片基板上堆叠绝缘层;在所述绝缘层中加工通孔;在所述绝缘层上形成种子层;在所述种子层上形成抗镀层,所述抗镀层与重分布图案具有对应的关系;通过电镀形成所述重分布图案,所述重分布图案包括用于外部接触的端子;以及将导电球连接至所述端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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