[发明专利]MIM电容器有效
| 申请号： | 200810099876.0 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101308726A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 饭冈修;福冈郁人 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/228;H01L29/94 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种MIM电容器，该MIM电容器包括：第一和第二导体图形，埋置在第一绝缘膜中而以彼此相对的关系连续延伸；以及第三和第四导体图形，埋置在第三绝缘膜中，经由第二绝缘膜在所述第一绝缘膜上方形成，以彼此相对的关系在所述第三绝缘膜中连续延伸。其中，第五导体图形埋置在第二层间绝缘膜中而与第一和第三导体图形相对应地在第二层间绝缘膜中连续延伸，以将第一和第三导体图形连续连接；第六导体图形埋置在第二层间绝缘膜中而与第二和第四导体图形相对应地在第二层间绝缘膜中连续延伸，以将所述第二和第四导体图形连续连接。使用本发明，即使半导体集成电路被微型化，仍可以确保足够的电容和减少寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容器，包括：第一和第二导体图形(11A，11B)，埋置在第一绝缘膜(11)中而以彼此相对的关系在所述第一绝缘膜(11)中连续延伸；以及第三和第四导体图形(13A，13B)，埋置在第三绝缘膜(13)中，所述第三绝缘膜(13)经由第二绝缘膜(12)在所述第一绝缘膜(11)上方形成，所述第三和第四导体图形(13A，13B)以彼此相对的关系在所述第三绝缘膜(13)中连续延伸，其中，第五导体图形(12A)埋置在所述第二层间绝缘膜(12)中而与所述第一和第三导体图形(11A，13A)相对应地在所述第二层间绝缘膜(12)中连续延伸，所述第五导体图形(12A)将所述第一和第三导体图形(11A，13A)连续连接，第六导体图形(12B)埋置在所述第二层间绝缘膜(12)中而与所述第二和第四导体图形(11B，13B)相对应地在所述第二层间绝缘膜(12)中连续延伸，所述第六导体图形(12B)将所述第二和第四导体图形(11B，13B)连续连接。
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