[发明专利]磁头和信息存储设备无效
| 申请号： | 200810099947.7 | 申请日： | 2008-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101312044A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 三宅裕子;松冈正昭;小田切充 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/127 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁头和信息存储设备。本发明的磁头包含：磁极，所述磁极面向记录介质的表面，按照沿所述表面的方向相对于所述表面移动，并产生与所述记录介质的表面相交的磁力线；和对所述磁极进行励磁的线圈，其中，所述磁极包含具有800A/m以下的矫顽力的层积体，所述层积体包含按照沿相对于所述记录介质的表面的移动的方向堆叠的两层或更多层，所述两层或更多层包含位于所述移动的最前方位置的第一磁性层和位于所述移动的最后方位置的第二磁性层，所述第二磁性层的饱和磁通密度高于所述第一磁性层的饱和磁通密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 信息 存储 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁头，所述磁头包含：磁极，所述磁极面向记录介质的表面，按照沿所述表面的方向相对于所述表面移动，并产生与所述记录介质的表面相交的磁力线；和线圈，所述线圈对所述磁极进行励磁，其中所述磁极包含具有800A/m以下的矫顽力的层积体，所述层积体包含按照沿相对于所述记录介质的表面的移动的方向堆叠的两层或更多层，所述两层或更多层包含位于所述移动的最前方位置的第一磁性层和位于所述移动的最后方位置的第二磁性层，所述第二磁性层的饱和磁通密度高于所述第一磁性层的饱和磁通密度。
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