[发明专利]氮化物半导体激光器芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810099971.0 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101316026A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 山下文雄;伊藤茂稔;山本秀一郎;川上俊之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/22;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体激光器芯片，包括：氮化物半导体衬底；多个氮化物半导体层，层叠在所述氮化物半导体衬底的表面上，并包括有源层；形成在所述氮化物半导体层上的条带形波导；和谐振器端面，由被解理的氮化物半导体层与所述氮化物半导体衬底共同形成，其中所述氮化物半导体衬底的主平面是(1-100)面，所述谐振器端面与所述主平面垂直，以及在形成所述谐振器端面的解理表面中，至少在所述条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向所述氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
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